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04- SD NAND参考设计提示
一、电路设计1、参考电路:R1~R5 (10K-100 kΩ)是上拉电阻,当SD NAND处于高阻抗模式时,保护CMD和DAT线免受总线浮动。即使主机使用SD NAND SD模式下的1位模式,主机也应通过上拉电阻上拉所有的DATO-3线。R6(RCLK)参考0-120 Ω。 其他详细电路应用说明,请参考“SDA协会规范”第6章“SD Memory Card Hardware Interface”。
2024-08-21 - MK米客方德推出新一代工业级SD NAND
--更长寿命、更高速度、更优功耗 作为SD NAND领域的领跑者,MK米客方德在工业存储上突破藩篱,产品及服务获得客户的广泛认可。MK初代工业级SD NAND发布至今,已经走过了八个年头,近期,MK米客方德新一代工业级SD NAND全面推向市场。 l LGA-8封装: 采用6.0*8.0mm的LGA-8封装,兼容SPI模式,SD一线式和四线式l 工业级SLC存储颗粒: 支持工业级温度-40°~+8
2024-07-16 - MK EOL Notification 停产通知2024-06-20






